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M29W400DT55N6EMicron Technology M29W400DT55N6E
トレイ単位にて販売となります。 1x:67個 3x:96個 4M NOR フラッシュメモリ ■メモリ サイズ:4 M ■供給電圧 - 最小:2.7 V ■供給電圧 - 最大:3.6 V ■アクティブ電流 - 最大読み取り値:10 mA ■インタフェース タイプ:パラレル ■編成:512 k x 8/256 k x 16 ■データ バス幅:8 bit/16 bit ■最低動作温度:- 40 C ■最高動作温度:+ 85 C ■メモリ タイプ:NOR ■速度:55 ns
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