M29W400DT55N6E

Micron Technology M29W400DT55N6E

トレイ単位にて販売となります。
1x：67個
3x：96個

4M NOR フラッシュメモリ

■メモリ サイズ:4 M
■供給電圧 - 最小：2.7 V
■供給電圧 - 最大：3.6 V
■アクティブ電流 - 最大読み取り値：10 mA
■インタフェース タイプ：パラレル
■編成：512 k x 8/256 k x 16
■データ バス幅：8 bit/16 bit
■最低動作温度：- 40 C
■最高動作温度：+ 85 C
■メモリ タイプ：NOR
■速度：55 ns