SIR416DP-T1-GE3

Vishay　SIR416DP-T1-GE3 (3000個入り)
Si MOSFET
単価￥90
3,000個単位での販売となります。

■パッケージ/ケース：PowerPAK-SO-8
■トランジスタ極性：N-Channel
■チャンネル数：1
■Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧：40 V
■Id - 連続ドレイン電流：50 A
■Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース：3.8 mOhms
■Vgs - ゲート-ソース間電圧：- 20 V, + 20 V
■Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧：1.2 V
■Qg - ゲート電荷：90 nC
■動作温度：- 55 C 〜 + 150 C
■Pd - 電力損失：69 W