RZM002P02T2L

MOSFET P-ch20V 0.2A VMT3
100個単位での販売となります。

■FETタイプ：Pチャンネル
■技術：MOSFET（金属酸化物)
■ドレイン〜ソース間電圧（Vdss)：20V
■電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id)：200mA（Ta)
■駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン)：1.2V、4.5V
■Id、Vgs印加時のRds On（最大)：1.2オーム @ 200mA、4.5V
■Id印加時のVgs（th)（最大)：1V @ 100?A
■Vgs印加時のゲート電荷（Qg)（最大)：1.4nC @ 4.5V
■Vgs（最大)：±10V
■Vds印加時の入力静電容量（Ciss)（最大)：115pF @ 10V
■FET機能：-
■電力散逸（最大)：150mW（Ta)
■動作温度：150°C（TJ)
データシート