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RZM002P02T2LMOSFET P-ch20V 0.2A VMT3
100個単位での販売となります。 ■FETタイプ:Pチャンネル ■技術:MOSFET(金属酸化物) ■ドレイン〜ソース間電圧(Vdss):20V ■電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):200mA(Ta) ■駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):1.2V、4.5V ■Id、Vgs印加時のRds On(最大):1.2オーム @ 200mA、4.5V ■Id印加時のVgs(th)(最大):1V @ 100?A ■Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大):1.4nC @ 4.5V ■Vgs(最大):±10V ■Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大):115pF @ 10V ■FET機能:- ■電力散逸(最大):150mW(Ta) ■動作温度:150°C(TJ) データシート
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